доступність: | |
---|---|
Кількість: | |
13003G5
WXDH
Епітаксіальний кремній транзистор NPN
1 опис
Ці пристрої розроблені для високої напруги, високої - швидкості перемикання живлення індуктивних схем, де час осені є критичним. Вони особливо підходять для додатків SwitchMode 115 та 220 В
2 особливості
Високий випуск струму до 1,0А
Низька напруга насичення
НАПРУГА
Висока надійність
3 програми
Перемикання регуляторів
Інвертори
Управління двигуном
Соленоїдні/реле драйвери та відхилення
BVCB | Bvce | Vcesat (max) | ІМ |
700 В | 480V | 0,6 В | 1,0А |
Епітаксіальний кремній транзистор NPN
1 опис
Ці пристрої розроблені для високої напруги, високої - швидкості перемикання живлення індуктивних схем, де час осені є критичним. Вони особливо підходять для додатків SwitchMode 115 та 220 В
2 особливості
Високий випуск струму до 1,0А
Низька напруга насичення
НАПРУГА
Висока надійність
3 програми
Перемикання регуляторів
Інвертори
Управління двигуном
Соленоїдні/реле драйвери та відхилення
BVCB | Bvce | Vcesat (max) | ІМ |
700 В | 480V | 0,6 В | 1,0А |