未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 400 V-1500 V N-MOS » Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 13003G5 TO-126

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 13003G5 TO-126

Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do koszyka

  • 13003G5

  • WXDH

Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN


1 Opis

Urządzenia te są przeznaczone do obwodów indukcyjnych przełączających moc o wysokim napięciu i dużej prędkości, gdzie krytyczny jest czas opadania. Nadają się szczególnie do zastosowań SWITCHMODE 115 i 220 V 


2 funkcje

  •  Wysoki prąd wyjściowy do 1,0 A 

  •  Niskie napięcie nasycenia

  •  Wysokie napięcie 

  •  Wysoka niezawodność 


3 aplikacje

  •  Regulatory przełączające 

  •  Falowniki 

  •  Sterowanie silnikiem 

  •  Sterowniki solenoidów/przekaźników i obwody odchylania


BVCB BVCE VCESAT (maks.) układ scalony 
700 V 480 V 0,6 V 1,0A



Poprzedni: 
Następny: 
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com