未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MOSFET » 400V-1500V N-MOS » Epitaxiale siliciumtransistor NPN 13003G5 TO-126

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

Epitaxiale siliciumtransistor NPN 13003G5 TO-126

Epitaxiale siliciumtransistor NPN
Beschikbaarheid:
Aantal:
Informeer Voeg toe aan winkelwagen

  • 13003G5

  • WXDH

Epitaxiale siliciumtransistor NPN


1 Beschrijving

Deze apparaten zijn ontworpen voor inductieve schakelcircuits met hoge spanning en hoge snelheid, waarbij de valtijd van cruciaal belang is. Ze zijn bijzonder geschikt voor 115 en 220 V SWITCHMODE-toepassingen 


2 Kenmerken

  •  Hoge stroomuitvoer tot 1,0A 

  •  Lage verzadigingsspanning

  •  Hoogspanning 

  •  Hoge betrouwbaarheid 


3 toepassingen

  •  Regelaars wisselen 

  •  Omvormers 

  •  Motorbedieningen 

  •  Solenoïde-/relaisdrivers en afbuigcircuits


BVCB BVCE VCESAT (Max) IC 
700V 480V 0,6V 1,0A



Vorig: 
Volgende: 
Epitaxiale siliciumtransistor NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com