Transistor épitaxial en silicium NPN 13003G5 TO-126

Transistor épitaxial de silicium NPN

1 Descriptif

Ces dispositifs sont conçus pour les circuits inductifs de commutation de puissance haute tension et haute vitesse où le temps de chute est critique. Ils sont particulièrement adaptés aux applications SWITCHMODE 115 et 220 V 

2 Caractéristiques

•  Sortie de courant élevé jusqu'à 1,0 A 

•  Faible tension de saturation

•  Haute tension 

•  Haute fiabilité 

3 candidatures

•  Régulateurs de commutation 

•  Onduleurs 

•  Commandes du moteur 

•  Pilotes de solénoïde/relais et circuits de déviation