Transistor de silicium épitaxial NPN 13003G5 TO-126

NPN du transistor de silicium épitaxial

1 Description

Ces dispositifs sont conçus pour des circuits inductifs à commutation de puissance élevée à haute tension et à vitesse élevée où le temps de chute est critique. Ils sont particulièrement adaptés aux applications de modèle de commutation 115 et 220 V 

2 caractéristiques

•  Sortie à courant élevé jusqu'à 1,0a 

•  Faible tension de saturation

•  Haute tension 

•  Haute fiabilité 

3 applications

•  Commutation des régulateurs 

•  Onduleur 

•  Commandes de moteur 

•  Conducteurs de solénoïde / relais et circuits de déviation