Epitaxiális szilícium tranzisztor NPN
1 Leírás
Ezeket az eszközöket nagyfeszültségű, nagy sebességű, teljesítménykapcsolós induktív áramkörökhöz tervezték, ahol az esési idő kritikus. Különösen alkalmasak 115 és 220 V-os SWITCHMODE alkalmazásokhoz
2 Jellemzők
3 Alkalmazások
| BVCB |
BVCE |
VCESAT (max.) |
IC |
| 700V |
480V |
0,6V |
1,0A |