Epitaxial Silicon Transistor NPN
1 ဖော်ပြချက်
ဤစက်ပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသော-ဗို့အား၊ မြင့်မားသော-အမြန်နှုန်းပါဝါကူးပြောင်းခြင်းလျှပ်ကူးပတ်လမ်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားခြင်းဖြစ်ပြီး ပြုတ်ကျချိန်သည် အရေးကြီးပါသည်။ ၎င်းတို့သည် 115 နှင့် 220 V SWITCHMODE အပလီကေးရှင်းများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
3 လျှောက်လွှာများ
| BVCB |
BVCE |
VCESAT (အမြင့်ဆုံး) |
အိုင်စီ |
| 700V |
480V |
0.6V |
1.0A |