Epitaksiyel Silikon Transistör NPN
1 Açıklama
Bu cihazlar, düşme süresinin kritik olduğu yüksek voltajlı, yüksek hızlı güç anahtarlamalı endüktif devreler için tasarlanmıştır. Özellikle 115 ve 220 V ANAHTARLAMA MODU uygulamaları için uygundurlar
2 Özellikler
3 Uygulama
| BVCB |
BVCE |
VCESAT (Maks.) |
entegre devre |
| 700V |
480V |
0,6V |
1.0A |