Epitaxial Silicon Transistor NPN
1 Paglalarawan
Idinisenyo ang mga device na ito para sa high − boltahe, high − speed power switching inductive circuits kung saan ang oras ng taglagas ay kritikal. Ang mga ito ay partikular na angkop para sa 115 at 220 V SWITCHMODE application
2 Mga Tampok
Mataas na kasalukuyang output hanggang 1.0A
Mababang boltahe ng saturation
Mataas na boltahe
Mataas na pagiging maaasahan
3 Aplikasyon
| BVCB |
BVCE |
VCESAT (Max) |
IC |
| 700V |
480V |
0.6V |
1.0A |