未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » Mosfet » 400V-1500V N MOS » Epitaksijalni silicijski tranzistor NPN 13003G5 TO-126

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

Epitaksijalni silicijski tranzistor NPN 13003G5 TO-126

Epitaksijalni silicijski tranzistor NPN
Dostupnost:
količina:
Raspitati se Dodaj u koš

  • 13003G5

  • WXDH

Epitaksijski silicijski tranzistor NPN


1 Opis

Ovi su uređaji dizajnirani za visoki - napon, induktivne krugove velike brzine u brzini, gdje je vrijeme pada kritično. Posebno su prikladni za 115 i 220 V Switchmode aplikacija 


2 značajke

  •  Izlaz visoke struje do 1,0A 

  •  Nizak napon zasićenja

  •  Visoki napon 

  •  Visoka pouzdanost 


3 prijave

  •  Prebacivanje regulatora 

  •  Pretvarači 

  •  Motorne kontrole 

  •  Upravljački programi solenoidni/releji i krugovi odboja


Bvcb BVCE Vcesat （max) IC 
700V 480V 0,6V 1,0a



Prethodno: 
Sljedeći: 
Epitaksijski silicijski tranzistor NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com