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quantità: | |
9n90
Wxdh
To-3pn
900v
9a
9A 900V N-channel Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● commutazione rapida
● ESD Capacità migliorata
● Resistenza bassa (RDSON≤1,3Ω)
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni
● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | ID |
900v | 920 MΩ | 9a |
9A 900V N-channel Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● commutazione rapida
● ESD Capacità migliorata
● Resistenza bassa (RDSON≤1,3Ω)
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni
● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | ID |
900v | 920 MΩ | 9a |