9A 900V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 9N90 TO-3PN

9A 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 

2 ویژگی

● سوئیچینگ سریع 

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤1.3Ω)

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS 

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.