Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
9N90
WXDH
To-3pn
900V
9α
9A 900V N-Channel MODECEMENT MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤1,3Ω)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
900V | 920mΩ | 9α |
9A 900V N-Channel MODECEMENT MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● βελτιωμένη ικανότητα ESD
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤1,3Ω)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
900V | 920mΩ | 9α |