Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 800V

1 Descrizione

B4N80, il VDMOSFET migliorato al canale N Silicon, è ottenuto dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. Il modulo del pacchetto è TO-251b, che è conforme allo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

 commutazione rapida 

 Resistenza bassa (RDSON≤4,0Ω)

 Carica a basso gate (dati tipici: 17,3 NC) 

 Capacità di trasferimento inverse basse (tipiche: 4.3pf)

 Test di energia a valanga a impulso singolo 100% 

3 applicazioni 

 Circuito dell'interruttore di alimentazione di adattatore e caricabatterie.