MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 800V B4N80 TO-251B

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 4A 800V

1 Descrizione

B4N80, i VDMOSFET avanzati a canale N in silicio, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Il transistor può essere utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. Il formato del pacchetto è TO-251B, conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

 Commutazione rapida 

 Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 4,0 Ω)

 Carica gate bassa (dati tipici: 17,3 nC) 

 Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 4,3 pF)

 Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

3 applicazioni 

 Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
800 V	3,7Ω	4A