Mode d'amélioration du canal N MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

Mode d'amélioration du canal N MOSFET 4A 800V

1 Description

B4N80, le VDMOSFETS amélioré en silicium N sur les canaux en silicium, est obtenu par la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie de l'avalanche. Le transistor peut être utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée. Le formulaire de package est à 251b, conforme à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

 Commutation rapide 

 Faible en résistance (RDSON≤4.0Ω)

 Charge de porte basse (données typiques: 17,3 NC) 

 Capacités de transfert inverse faibles (typiques: 4,3pf)

 Test d'énergie à option à impulsion à 100% unique 

3 applications 

 Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.