Chế độ tăng cường kênh N Công suất MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

Chế độ nâng cao kênh N Power MOSFET 4A 800V

1 mô tả

B4N80, VDMOSFET tăng cường kênh S silicon, thu được bằng công nghệ phẳng tự liên kết giúp giảm tổn thất dẫn truyền, cải thiện hiệu suất chuyển đổi và tăng cường năng lượng tuyết lở. Transitor có thể được sử dụng trong mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và hiệu quả cao hơn. Biểu mẫu gói là TO-251B, phù hợp với tiêu chuẩn ROHS. 

2 tính năng 

Chuyển đổi nhanh 

 Thấp điện trở (RDSON ≤4.0Ω)

Phí cổng thấp (dữ liệu điển hình: 17.3 NC) 

Điện dung chuyển ngược ngược thấp (điển hình: 4.3pf)

Thử nghiệm năng lượng Avalanche Pulse 100% 

3 ứng dụng 

Mạch chuyển mạch nguồn của bộ điều hợp và bộ sạc.