Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 4A 800V

1 περιγραφή

Το B4N80, τα ενισχυμένα VDMOSFETs του πυριτίου Ν-καναλιού, λαμβάνεται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της Avalanche. Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής ισχύος για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. Η φόρμα συσκευασίας είναι-251b, η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

 Γρήγορη εναλλαγή 

 Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤4.0Ω)

 Χαμηλή φόρτιση πύλης (τυπικά δεδομένα: 17.3 NC) 

 Χαμηλές χωρητικότητες αντίστροφης μεταφοράς (τυπικές: 4.3pf)

 100% δοκιμή ενεργειακής Avalanche Single Pulse 

3 αιτήσεις 

 Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.