Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 800V

1 Περιγραφή

Το B4N80, τα ενισχυμένα VDMOSFET με κανάλια πυριτίου N, λαμβάνεται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση του συστήματος και υψηλότερη απόδοση. Το έντυπο συσκευασίας είναι TO-251B, το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

 Γρήγορη εναλλαγή 

 Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤4,0Ω)

 Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τυπικά δεδομένα: 17,3 nC) 

 Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τυπικό: 4,3 pF)

 Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% Single Pulse 

3 Εφαρμογές 

 Κύκλωμα διακόπτη ισχύος προσαρμογέα και φορτιστή.

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
800V	3,7Ω	4Α