N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 4A 800V B4N80 bis 251B

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 4A 800V

1 Beschreibung

B4N80, das Silizium-N-Kanal-Verbesserte VDMOSFETs, wird von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessern und die Lawinenenergie verbessern. Der Transistor kann in verschiedenen Stromschaltschaltkreis für die Systemminiaturisierung und eine höhere Effizienz verwendet werden. Das Paketformular ist bis 251B, was dem ROHS-Standard entspricht. 

2 Merkmale 

 schnelles Umschalten 

 Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 4,0 Ω)

 Ladung mit niedriger Gate (typische Daten: 17,3 NC) 

 niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 4.3PF)

 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

3 Anwendungen 

 Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät.