N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 800V

1 Beschreibung

B4N80, die Silizium-N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs, werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Der Transistor kann in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet werden. Die Verpackungsform ist TO-251B, was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

 Schnelles Umschalten 

 Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 4,0 Ω)

 Niedrige Gate-Ladung (typische Daten: 17,3 nC) 

 Niedrige Rückübertragungskapazitäten (typisch: 4,3 pF)

 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

3 Anwendungen 

 Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
800V	3,7 Ω	4A