N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 4А, 800 В B4N80 TO-251B

N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 4 А, 800 В

1 Описание

B4N80, кремниевые N-канальные улучшенные VDMOSFET, изготовлены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию. Транзистор может использоваться в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности. Форма упаковки TO-251B соответствует стандарту RoHS. 

2 особенности 

 Быстрое переключение 

 Низкое сопротивление включения (Rdson≤4,0 Ом)

 Низкий заряд затвора (типовые данные: 17,3 нКл) 

 Низкая емкость обратного переноса (типично: 4,3 пФ)

 100% одноимпульсный тест лавинной энергии 

3 приложения 

 Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.

ВДСС	RDS(включен)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
800В	3,7 Ом	4А