N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 4A 800V B4N80 до 251B

N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 4A 800V

1 Описание

B4N80, кремниевый n-канал, улучшенный VDMOSFETS, получается с помощью самоотверженной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Транзистор может использоваться в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. Форма пакета-до 251B, которая согласуется со стандартом ROHS. 

2 функции 

 Быстрое переключение 

 Низкое сопротивление (rdson≤4,0 Ом)

 Низкий заряд затвора (типичные данные: 17,3 NC) 

 Низкие емкости обратного переноса (типичный: 4,3 пт)

 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

3 приложения 

 Схема питания переключателя адаптера и зарядного устройства.