Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 800V B4N80 TO-251B

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 4A 800V

1 Descripción

B4N80, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. El transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de potencia para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. El formato del paquete es TO-251B, que cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

 Cambio rápido 

 Baja resistencia de encendido (Rdson≤4.0Ω)

 Carga de puerta baja (datos típicos: 17,3 nC) 

 Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 4,3 pF)

 Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

3 aplicaciones 

 Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
800V	3,7Ω	4A