Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 800V

1 descripción

B4N80, la tecnología plana autoalignada que reduce la pérdida de conducción, mejoran la pérdida de conducción y mejora la energía de avalancha. El transistor se puede usar en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. El formulario del paquete es a 251B, lo que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

 Cambio rápido 

 Bajo en resistencia (Rdson≤4.0Ω)

 Baja carga de puerta (datos típicos: 17.3 NC) 

 Capacitancias de transferencia inversa bajas (típicas: 4.3pf)

 Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

3 aplicaciones 

 Circuito de interruptor de encendido del adaptador y el cargador.