এন-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B

এন-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET 4A 800V

1 বর্ণনা

B4N80, সিলিকন এন-চ্যানেল এনহ্যান্সড VDMOSFETs, স্ব-সংযুক্ত প্ল্যানার প্রযুক্তি দ্বারা প্রাপ্ত হয় যা পরিবাহী ক্ষতি কমায়, স্যুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং তুষারপাত শক্তি বাড়ায়। ট্রানজিস্টরটি সিস্টেমের ক্ষুদ্রকরণ এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সুইচিং সার্কিটে ব্যবহার করা যেতে পারে। প্যাকেজ ফর্মটি হল TO-251B, যা RoHS মান অনুযায়ী। 

2 বৈশিষ্ট্য 

 দ্রুত সুইচিং 

 লো অন রেজিস্ট্যান্স (Rdson≤4.0Ω)

 কম গেট চার্জ (সাধারণ ডেটা: 17.3 nC) 

 নিম্ন বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিটেন্স (সাধারণ: 4.3pF)

 100% একক পালস তুষারপাত শক্তি পরীক্ষা 

3 অ্যা�ড লিকেশন 

 অ্যাডাপ্টার এবং চার্জারের পাওয়ার সুইচ সার্কিট।

ভিডিএসএস	RDS(চালু) (TYP)	আইডি
800V	3.7Ω	4A