brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

400V-1500V N MOS

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datasheet+Rev.1.0.pdf
5A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5a 英文版 B5N65 技术规格书 max.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10a 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5a 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5a 英文版 5N65C 技术规格书 .pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8a F8N65 技术规格书 .pdf
4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7a 英文版 B7n70 技术规格书 .pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4a 英文版 DH4N150B 技术规格书 .pdf
10.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6a Zařízení DJF380N65T Specifikace Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650V 16a Donghai dhsj21n65z Datasheet V1.0 (1) .pdf
2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2a 英文版 D2n65 技术规格书 .pdf
4A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4a 英文版 B4N65X 技术规格书 X (1) .pdf
17A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17a Zařízení dhsj17n65 specifikace.pdf
7.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6a Dhfsj8n65_dateSheet_v1.0.pdf
Epitaxiální křemíkový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
20A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4a 英文版 D4n70 技术规格书 .pdf

Video produktu

  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty