23A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. 

2 funkce

● Rychlé přepínání 

● ESD vylepšená schopnost 

● nízký odpor (Rdson <0,28Ω) 

● Nízký nabití brány (typ: 52nc)

● Kapacity s nízkým přenosem pro zpětný přenos (typ: 16pf) 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikace

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.