23A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfets με N-κανάλια, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤0,28Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 52nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 16pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη ισχύος έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα.

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
500V	0,22 Ω	23Α