23A 500V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,28Ω) 

● Nizak naboj vrata (Tip: 52 nC)

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (Tip: 16pF) 

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.

VDSS	RDS (uključen) (TYP)	ID
500V	0,22 Ω	23A