23A 500V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● ESD verbesserte die Fähigkeit 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,28 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 52NC)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 16PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.