23A 500V N-kanaal Enhancement Mode Vermogens-MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤0.28Ω) 

● Lage poortlading (Typ: 52nC)

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 16pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
500V	0,22 Ohm	23A