23A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia

1 Opis

Te ulepszone vdmosfety z kanałem N są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem RoHS. 

2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Lepsze możliwości ESD 

● Niski opór (Rdson≤0,28Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 52nC)

● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego (typ: 16pF) 

● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód wyłącznika zasilania statecznika elektronowego i adaptera.

VDSS	RDS (wł.) (TYP)	ID
500 V	0,22 oma	23A