brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 23A 500 V Tryb wzmacniającego kanał N MOSFET 23N50D TO-3P

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

23A 500 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500 V Tryb wzmacniający N-Kananela Noc Moc MOSFET
Dostępność:
Ilość:

23A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niska rezystancja (RDSON ≤ 0,28 Ω) 

● Niski ładunek bramki (Typ: 52NC)

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 16pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.


VDSS  RDS (ON) (Typ) ID 
500 V. 0,22 Ω 23a



Poprzedni: 
Następny: 
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej