23A 500V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 

2 funktioner

● Hurtig skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Low On Resistance (Rdson≤0,28Ω) 

● Lav gateopladning (TYP: 52NC)

● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 16PF) 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer

● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strækkontaktkredsløb for elektronballast og adapter.