23A 500V N-kanals forbedringsmodus MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 

2 funksjoner

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten 

● Lav på motstand (Rdson≤0,28Ω) 

● Lav portladning (TYP: 52NC)

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 16PF) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 

3 søknader

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet. 

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.