23A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,28Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 52nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 16pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
500 Վ	0,22 Ω	23Ա