23A 500V N-saluran Mode Peningkatan Daya MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-saluran Mode Peningkatan Power MOSFET

1 deskripsi

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. 

2 fitur

● Pergantian cepat 

● Kemampuan ESD Peningkatan 

● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.28Ω) 

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 52NC)

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 16PF) 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 

3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi. 

● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron.