گیٹ
جیانگسو ڈونگھائی سیمیکمڈکٹر کمپنی ، لمیٹڈ
آپ یہاں ہیں: گھر » مصنوعات » موسفٹ » 400V-1500V N MOS » 23A 500V N-چینل بڑھانے کا طریقہ پاور MOSFET 23N50D TO-3P

لوڈنگ

شیئر کریں:
فیس بک شیئرنگ کا بٹن
ٹویٹر شیئرنگ بٹن
لائن شیئرنگ کا بٹن
وی چیٹ شیئرنگ بٹن
لنکڈ ان شیئرنگ بٹن
پنٹیرسٹ شیئرنگ بٹن
واٹس ایپ شیئرنگ بٹن
شیئرتھیس شیئرنگ بٹن

23A 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 23N50D TO-3P

23A 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
دستیابی:
مقدار:

23A 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET


1 تفصیل

یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔ 


2 خصوصیات

● تیز سوئچنگ 

● ESD میں بہتری کی صلاحیت 

resistance کم مزاحمت (rdson≤0.28ω) 

● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 52nc)

relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 16 پی ایف) 

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ 

● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ 


3 درخواستیں

system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔ 

● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔


وی ڈی ایس ایس  rds (on) (typ) ID 
500V 0.22 ω 23a



پچھلا: 
اگلا: 
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لئے سائن اپ کریں
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لئے مستقبل میں
    سائن اپ کرنے کے لئے تیار ہوجائیں اپنے ان باکس میں براہ راست اپ ڈیٹ حاصل کریں