دستیابی: | |
---|---|
مقدار: | |
23n50d
WXDH
to-3pn
500V
23a
23A 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
● ESD میں بہتری کی صلاحیت
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.28ω)
● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 52nc)
relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 16 پی ایف)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (typ) | ID |
500V | 0.22 ω | 23a |
23A 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
● ESD میں بہتری کی صلاحیت
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.28ω)
● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 52nc)
relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 16 پی ایف)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (typ) | ID |
500V | 0.22 ω | 23a |