Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
23n50d
WXDH
TO-3PN
500V
23a
23A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON≤0.28Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 52nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 16pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
500V | 0.22 Ω | 23a |
23A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON≤0.28Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 52nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 16pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
500V | 0.22 Ω | 23a |