未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 5A 500V N MORNE MOCE MOSFET MOSFET B5N50 TO-251B

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

5A 500 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET B5N50 TO-251B

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają
wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

5A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs.


2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD

● Niska rezystancja (RDSON ≤1,6Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 12,6NC) 

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 4pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.

VDSS  RDS (ON) （Typ) ID 
500 V. 1,4Ω 5a



Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com