7A 650V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia
1 Opis
Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza
utrata przewodzenia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Ulepszone możliwości ESD
● Niska rezystancja włączenia (Rdson ≤1,45 Ω)
● Niski poziom naładowania bramki (typ: 24nC)
● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 5,5 pF)
● 100% test energii lawinowej przy pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.
| VDSS |
RDS(wł.)(TYP) |
ID |
| 650 V |
1,25 Ω |
7A |