7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує
втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Покращена можливість ESD
● Низький опір увімкнення (Rdson≤1,45Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 24nC)
● Низька зворотна передавальна ємність (тип: 5,5 пФ)
● 100% одноімпульсний лавинний енергетичний тест
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS |
RDS(увімкнено)(TYP) |
ID |
| 650В |
1,25 Ом |
7A |