7N65/F7N65/B7N65/D7N65

7A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi silicijski N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje

gubitak vodljivosti, poboljšati performanse prebacivanja i povećati energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom.

2 Značajke

● Brzo prebacivanje

● ESD poboljšana sposobnost

● Nizak ON otpor (Rdson≤1,45Ω)

● Low Gate Charge (tip: 24 nC)

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 5,5 pF)

● 100% test energije lavine s jednim pulsom

● 100% ΔVDS test

3 Prijave

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.

● Strujni krug adaptera i punjača.

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID
650V	1,25Ω	7A