7N65/F7N65/B7N65/D7N65

7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze silicium N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die de

geleidingsverlies, verbetert de schakelprestaties en verbetert de lawine-energie. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.

2 Kenmerken

● Snel schakelen

● ESD Verbeterde mogelijkheden

● Lage AAN-weerstand (Rdson≤1.45Ω)

● Lage poortlading (typ: 24nC)

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (typ: 5,5 pF)

● 100% lawine-energietest met enkele puls

● 100% AVDS-test

3 toepassingen

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.

● Stroomschakelaarcircuit van adapter en oplader.

VDSS	RDS(aan)(TYP)	Identiteitskaart
650V	1,25Ω	7A