7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga silicon N-channel na pinahusay na vdmosfet na ito, ay nakuha ng self-aligned planar technology na nagpapababa ng
pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang pagganap ng paglipat at pagbutihin ang enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na Paglipat
● Pinahusay na Kakayahan ng ESD
● Mababang ON Resistance(Rdson≤1.45Ω)
● Mababang Gate Charge(Typ: 24nC)
● Mababang Reverse Transfer Capacitances(Typ: 5.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS Test
3 Aplikasyon
● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng adapter at charger.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 650V |
1.25Ω |
7A |