7N65/F7N65/B7N65/D7N65

7A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canalis vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast Switching

ESD Improved Capability

Minimum DE Resistentia (Rdson≤1.45Ω)

Porta Low præcipe (Typ: 24nC)

Low Reverse Transfer Capacitances (Typ: 5.5pF)

C% Singulus Pulsus NIVIS Energy Test

C% VDS Test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	1.25Ω	7A