7A 650V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ የሲሊኮን ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets ፣ የተገኘው በራስ-ተጣጣመ የፕላነር ቴክኖሎጂ ሲሆን ይህም
የመቀየሪያ መጥፋት ፣ የመቀያየር አፈፃፀምን ያሻሽላል እና የጎርፍ ኃይልን ያሳድጋል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD የተሻሻለ ችሎታ
● ዝቅተኛ ተቃውሞ(Rdson≤1.45Ω)
● ዝቅተኛ በር ክፍያ (አይነት፡ 24nC)
● ዝቅተኛ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 5.5pF)
● 100% ነጠላ የpulse Avalanche የኃይል ሙከራ
● 100% ΔVDS ሙከራ
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.
| ቪዲኤስኤስ |
RDS(በርቷል)(TYP) |
መታወቂያ |
| 650 ቪ |
1.25Ω |
7A |