beskikbaarheid: | |
---|---|
hoeveelheid: | |
7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET
1 Beskrywing
Hierdie silikon-N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak tegnologie wat die vermindering van die
geleidingsverlies, verbeter die skakelprestasie en verbeter die lawine -energie. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard.
2 funksies
● Vinnige oorskakeling
● ESD verbeterde vermoë
● Lae weerstand (Rdson≤1.45Ω)
● Lae heklading (tik: 24nc)
● Lae omgekeerde oordragkapasiteit (tik: 5.5pf)
● 100% enkelpuls Avalanche energietoets
● 100% Δvds -toets
3 Aansoeke
● Word gebruik in verskillende kragskakelingskringbaan vir stelsel -miniatuur en hoër doeltreffendheid.
● Kragskakelaarstroombaan van adapter en laaier.
VDS's | RDS (ON) (Typ) | Id |
650V | 1.25Ω | 7a |
7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET
1 Beskrywing
Hierdie silikon-N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak tegnologie wat die vermindering van die
geleidingsverlies, verbeter die skakelprestasie en verbeter die lawine -energie. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard.
2 funksies
● Vinnige oorskakeling
● ESD verbeterde vermoë
● Lae weerstand (Rdson≤1.45Ω)
● Lae heklading (tik: 24nc)
● Lae omgekeerde oordragkapasiteit (tik: 5.5pf)
● 100% enkelpuls Avalanche energietoets
● 100% Δvds -toets
3 Aansoeke
● Word gebruik in verskillende kragskakelingskringbaan vir stelsel -miniatuur en hoër doeltreffendheid.
● Kragskakelaarstroombaan van adapter en laaier.
VDS's | RDS (ON) (Typ) | Id |
650V | 1.25Ω | 7a |