brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 7N65/F7N65/B7N65/D7N65

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

7N65/F7N65/B7N65/D7N65

7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Popis

Tyto křemíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samozarovnanou planární technologií, která snižuje

ztráta vedení, zlepšení spínacího výkonu a zvýšení lavinové energie. Což odpovídá standardu RoHS.

2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání

● Vylepšená schopnost ESD

● Nízký ON odpor (Rdson≤1,45Ω)

● Nízké nabití brány (Typ: 24nC)

● Nízké kapacity zpětného přenosu (Typ: 5,5 pF)

● 100% test lavinové energie jednoho pulzu

● Test 100% ΔVDS

3 Aplikace

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Obvod vypínače adaptéru a nabíječky.


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
650V 1,25Ω 7A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky