7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Popis
Tyto křemíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samozarovnanou planární technologií, která snižuje
ztráta vedení, zlepšení spínacího výkonu a zvýšení lavinové energie. Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Vylepšená schopnost ESD
● Nízký ON odpor (Rdson≤1,45Ω)
● Nízké nabití brány (Typ: 24nC)
● Nízké kapacity zpětného přenosu (Typ: 5,5 pF)
● 100% test lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod vypínače adaptéru a nabíječky.
| VDSS |
RDS(zapnuto)(TYP) |
ID |
| 650V |
1,25Ω |
7A |