7N65/F7N65/B7N65/D7N65

7A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto silikónové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje

straty vedenia, zlepšujú spínací výkon a zvyšujú lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤1,45Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 5,5 pF)

● 100% test jednopulzovej lavínovej energie

● Test 100 % ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
650 V	1,25Ω	7A