7N65/F7N65/B7N65/D7N65

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 7 A 650 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N in silicio sono ottenuti mediante la tecnologia planare autoallineata che riduce il

perdita di conduzione, migliorare le prestazioni di commutazione e aumentare l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida

● Funzionalità ESD migliorata

● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 1,45 Ω)

● Carica gate bassa (tip.: 24nC)

● Capacità di trasferimento inverso basse (tipicamente: 5,5 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
650 V	1,25Ω	7A