4N65/F4N65/B4N65/D4N65

MOSFET mocy 4A 650 V z kanałem N w trybie wzmocnienia

1 Opis

Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza

utrata przewodzenia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Lepsze możliwości ESD

● Niski opór (Rdson≤2,8Ω)

● Niski ładunek bramki (typ: 14,5 nC)

● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 3,5 pF)

● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie

● 100% test ΔVDS

3 aplikacje

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.

VDSS	RDS(wł.)(TYP)	ID
650 V	2,4 Ω	4A