4N65/F4N65/B4N65/D4N65

4A 650V N-Channel MODENCE MOSFET

1 περιγραφή

Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs του πυριτίου N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει το

Απώλεια αγωγιμότητας, βελτίωση της απόδοσης μεταγωγής και ενίσχυση της ενέργειας της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.

2 χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤2.8Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 14.5NC)

● Χαμηλότερες χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 3.5PF)

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche

● δοκιμή 100% ΔVDS

3 αιτήσεις

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.