التوفر: | |
---|---|
الكمية: | |
4A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المعززة من السيليكون N ، من خلال تقنية المستوية ذاتية التحالف التي تقلل من
فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
2 ميزات
● التبديل السريع
● ESD تحسين القدرة
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤2.8Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 14.5NC)
● انخفاض السعة النقل العكسي (TYP: 3.5PF)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من المحول والشاحن.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
650 فولت | 2.4Ω | 4A |
4A 650V N-channel Mode Mode MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المعززة من السيليكون N ، من خلال تقنية المستوية ذاتية التحالف التي تقلل من
فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
2 ميزات
● التبديل السريع
● ESD تحسين القدرة
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤2.8Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 14.5NC)
● انخفاض السعة النقل العكسي (TYP: 3.5PF)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من المحول والشاحن.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
650 فولت | 2.4Ω | 4A |