4N65/F4N65/B4N65/D4N65

4A 650V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ የሲሊኮን ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets ፣ የተገኘው በራስ-ተጣጣመ የፕላነር ቴክኖሎጂ ሲሆን ይህም

የመቀየሪያ መጥፋት ፣ የመቀያየር አፈፃፀምን ያሻሽላል እና የጎርፍ ኃይልን ያሳድጋል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር

● ESD ችሎታን አሻሽሏል።

● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤2.8Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 14.5nC)

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 3.5pF)

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
650 ቪ	2.4Ω	4A