未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
130A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
80A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N85P.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Špecifikácia zariadenia DHS065N85.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+Datasheet+V1.0.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Špecifikácia zariadenia DH8004 (2).pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
70A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Zariadenie+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
60A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Zariadenie DH065N04P Špecifikácia.pdf
140A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com