未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Zariadenie DH045N06 Špecifikácia.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtny balík DSU035N14N3 TOLL 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
120A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Zariadenie+DH065N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
180A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Zariadenie DH029N08 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Špecifikácia zariadenia DH3205A.pdf
180A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
145A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Zariadenie DH028N03 Špecifikácia.pdf
40V/0,85mΩ/200A BALENIE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia 60N10B76(1).pdf
270A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS044N12U MÝTNY BALÍK DHS044N12U TOLL 120V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com