未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Zariadenie DH065N04 Špecifikácia.pdf
170A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Špecifikácia zariadenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
240A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS020N88U TOLL balík DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
12A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Špecifikácia zariadenia D12N06(TO-252B).pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf
20A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
170A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Špecifikácia zariadenia DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Špecifikácia zariadenia DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Zariadenie+DHS065N10+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
155A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Zariadenie DH035N04 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com